ASML의 High-NA EUV는 단순히 더 비싼 노광 장비가 아닙니다. 첨단 반도체가 더 작은 회로 패턴을 경제적으로 구현할 수 있는지를 가르는 다음 세대 리소그래피 기술입니다.
EUV 노광은 13.5nm 파장의 극자외선으로 웨이퍼에 회로 패턴을 새기는 기술입니다.1 ASML은 2017년 첫 EUV 장비를 시장에 내놓은 이후 첨단 공정의 핵심 장비 공급사로 자리 잡았습니다. High-NA EUV는 그 기존 EUV의 다음 단계입니다.
High-NA EUV의 핵심은 NA 0.55다
High-NA에서 중요한 단어는 NA, 즉 개구수입니다. 개구수는 빛을 얼마나 정밀하게 모아 웨이퍼 위에 작은 패턴을 찍을 수 있는지를 나타내는 값입니다. NA가 높을수록 더 미세한 패턴을 구현할 수 있습니다.
기존 ASML NXE EUV 장비의 NA는 0.33입니다. 반면 High-NA EUV인 EXE 시스템은 13.5nm EUV 광원과 0.55 NA 광학계를 사용합니다.1 이 변화로 최신 장비의 해상도는 약 8nm 수준까지 내려갑니다.1
ASML은 High-NA EUV가 이전 세대 NXE EUV 대비 약 1.7배 더 작은 트랜지스터 패턴을 구현하고, 최대 2.9배 높은 트랜지스터 밀도를 지원할 수 있다고 설명합니다.2 핵심은 같은 면적에 더 많은 회로를 넣을 수 있다는 점입니다.
가격보다 중요한 것은 전체 공정의 경제성이다
High-NA EUV 장비 가격은 대당 약 4억 달러로 거론됩니다.3 이 숫자만 보면 도입 여부는 단순한 비용 문제처럼 보입니다. 하지만 실제 판단 기준은 장비 가격 하나로 끝나지 않습니다.
반도체 제조사는 더 작은 패턴을 만들기 위해 여러 번 노광하는 멀티 패터닝을 사용해 왔습니다. 이 방식은 공정 단계와 생산 시간을 늘리고, 결함 가능성도 높입니다. High-NA EUV의 가치는 더 작은 패턴을 더 직접적으로 찍어 공정 복잡성을 줄일 수 있다는 데 있습니다.
따라서 제조사가 봐야 할 것은 구매 가격이 아니라 전체 비용입니다. 마스크 수, 공정 시간, 수율, 결함률, 처리량, 웨이퍼당 비용이 함께 개선되어야 High-NA EUV의 경제성이 성립합니다.
도입 속도는 기술력보다 전략의 차이에 가깝다
High-NA EUV를 둘러싼 기업들의 움직임은 같지 않습니다. Intel, Samsung, SK hynix는 도입에 적극적인 쪽으로 거론되는 반면, TSMC는 비용 부담을 이유로 더 신중한 접근을 택하고 있다는 보도가 있습니다.3
이 차이를 단순히 기술력의 우열로 해석하기는 어렵습니다. 어떤 기업은 선도 장비를 먼저 도입해 다음 공정 전환을 앞당기려 합니다. 반대로 어떤 기업은 기존 EUV와 공정 최적화를 더 활용해 투자 효율을 높이려 합니다.
즉 High-NA EUV는 기술 경쟁인 동시에 투자 판단의 문제입니다. 가장 앞선 장비가 항상 가장 좋은 선택은 아닙니다. 좋은 선택은 성능, 수율, 비용, 일정이 동시에 맞을 때 나옵니다.
결론: 장비 도입보다 로드맵을 봐야 한다
ASML은 2025년에 EUV 장비를 거의 50대 판매했다고 밝혔습니다. EUV가 이미 첨단 반도체 생산의 핵심 축이 된 상황에서, High-NA EUV는 그 다음 기준을 정하는 장비로 주목받고 있습니다.
다만 High-NA EUV를 도입했다는 사실만으로 승자를 판단해서는 안 됩니다. 앞으로 봐야 할 지표는 실제 양산 수율, 처리량, 결함률, 공정 단순화 효과, 그리고 웨이퍼당 비용입니다.
High-NA EUV의 가치는 “얼마나 작게 찍는가”에서 출발하지만, 최종 평가는 “얼마나 경제적으로 많이 찍는가”에서 결정될 것입니다.
1EUV lithography systems - Products | ASML
25 things you should know about High NA EUV lithography
3ASML Expects First High-NA EUV Chips Within Months as TSMC Delays Adoption Over Cost Concerns
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